姜淼
姓 名:
姜淼
出生年月:
1992年2月
学 位:
工学博士
电 话:
+86-176-1022-6810
职 称:
教授
邮 箱:
jiangmiao@bit.edu.cn
姜淼,准聘教授,博士生导师,国家级高层次青年人才,日本学术振兴会(JSPS)外国人特别研究员。长期从事自旋电子学材料与器件以及电磁吸收与屏蔽等研究,具有材料学、物理电子学、电子工程交叉专业背景,在大数据高性能新型存储技术等领域取得重要研究成果。相关论文发表于Nature Electronics、Nature Communications、 Advanced Science等高水平学术期刊。主持国家级海外高层次青年人才项目、国家自然科学基金青年科学基金项目、冲击环境材料技术国家重点实验室开放基金项目等,作为子课题负责人参与XX高层次海外人才团队项目。指导学生获得北京市优秀本科毕业设计(论文),被评为北京市本科毕业设计(论文)优秀指导老师。
团队每年拟招收2-3名研究生(硕士生、硕博连读生或博士生),鼓励有学科交叉背景的学生报考(材料、物理、电子、信息等),在读期间根据研究进展情况可获得出国学习交流机会。博士申报优先考虑具有磁性材料制备、微纳器件加工、磁学电学测试或新型吸波材料设计与制备等相关经验的同学。欢迎有意愿共同做一些有趣的研究工作的同学联系与加入。
2017.09-2020.09,日本东京大学,电子工程系,工学博士
2014.09-2017.06,清华大学,材料科学与工程,工学硕士 (双学位)
2014.10-2017.03,日本东京工业大学,物理电子系,工学硕士 (双学位)
2010.09-2014.07,350vip8888新葡的京集团,材料成型及控制工程,工学学士
2022.07-至今,350vip8888新葡的京集团,准聘教授
2020.10-2022.05,东京大学工学系研究科,日本学术振兴会外国人特别研究员
自旋电子学材料与器件、多手段调控磁性薄膜性能、电磁吸收与屏蔽等。
M. Jiang*, X. Yang, S. Qu, et al., Field-free spin-orbit torque magnetization switching in a perpendicularly magnetized semiconductor (Ga,Mn)As single layer. ACS Appl. Mater. Interfaces 16, 23497–23504, 2024.
M. Jiang*, H. Asahara, S. Sato, et al., Electric field control of spin-orbit torque magnetization switching in a spin-orbit ferromagnet single layer. Advanced Science 10, 2301540, 2023.
M. Jiang*, H. Asahara, S. Sato, et al., Suppression of the field-like torque for efficient magnetization switching in a spin-orbit ferromagnet. Nature Electronics 3, 751-756, 2020.
M. Jiang*, H. Asahara, S. Sato, et al., Efficient full spin-orbit torque switching in a single layer of a perpendicularly magnetized single-crystalline ferromagnet. Nature Communications 10, 2590, 2019.
M. Jiang, X. Z. Chen, X. J. Zhou, et al., Electrochemical control of the ultrathin FeRh films. Applied Physics Letters, 108(20): 202404, 2016.
M. Jiang, E. Matsushita, Y. Takamura, et al., Spin-orbit torque magnetization switching in a perpendicularly magnetized full Heusler alloy Co2FeSi, AIP Advances, 11(11), 115014, 2021.
M. Jiang, X. Z. Chen, X. J. Zhou, et al., The influence of film composition on the transition temperature of FeRh films. Journal of Crystal Growth, 438: 19-24, 2016.